接近传感器金属应变片和半导体应变计的区别是什么

接近传感器金属应变片和半导体应变计的区别是什么? 　　(1)静态特性不同：金属应变灵敏系数K和外力f是独立的方向只有绝力F与尺寸小于应变计是由电阻丝的灵敏度系数Ks和应变的量与K相等的长度值敏感的门不完全平等。同时具有横向效应和横向影响系数(小时)、机械滞后、零源和蠕变现象和应变半导体薄膜具有应变电阻特性、电阻温度特性、敏感系数、温度特性等。 　　(2)该结构是不同的：金属应变计是由一个敏感的栅极，一个基板，一个覆盖层，引线和一个接合剂，它是由一个单一的晶体硅。 　　(3)温度误差及其补偿方法不同：主要以自我补偿法生产金属应变片(单丝自补偿法和双丝自补偿法)，对桥路补偿法(补偿法和差分补偿方法)，热电阻补偿方法;与电阻温度系数补偿方法和灵敏度系数的温度补偿方法半导体应变计。 　　(4)应变片的不同金属的工作原理是通过外力作用的工作使电阻值的变化，半导体应变计对不同类型的半导体广阔和不同方向的外力，创造的压阻效应，使电阻率变化。